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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123
Nº da peça do fabricante:
BSS123
Código Farnell
9845321
Ficha técnica:
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A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Descrição geral do produto

The BSS123 from Fairchild is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance thus BSS123 are suited f...
  • Drain to source voltage (Vds) of 100V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
  • Continuous drain current of 170mA
  • Maximum power dissipation of 360mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
170mA
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.7V
Power Dissipation Pd:
360mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Industrial;
  • Portable Devices;
  • Consumer Electronics

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000036

Alternativas

MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 0.8 V

ON SEMICONDUCTOR

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MOSFET Transistor, N Channel, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 V

NEXPERIA

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