Low

BSS123 - 

MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD BSS123

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
BSS123
Código Farnell
9845321RL
Ficha técnica:
(EN)
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Informação do produto

:
360mW
:
150°C
:
170mA
:
N Channel
:
3Pins
:
1.7V
:
-
:
-
:
100V
:
10V
:
SOT-23
:
1.2ohm
:
MSL 1 - Unlimited
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Descrição geral do produto

The BSS123 from Fairchild is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance thus BSS123 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
  • Drain to source voltage (Vds) of 100V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
  • Continuous drain current of 170mA
  • Maximum power dissipation of 360mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Aplicações

Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics

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