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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123
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Descrição geral do produto

The BSS123 from Fairchild is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance thus BSS123 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
  • Drain to source voltage (Vds) of 100V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
  • Continuous drain current of 170mA
  • Maximum power dissipation of 360mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
170mA
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.7V
Power Dissipation Pd:
360mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Industrial;
  • Portable Devices;
  • Consumer Electronics

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000036

Alternativas

MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 0.8 V

ON SEMICONDUCTOR

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