Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304P  MOSFET Transistor, P Channel, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P
Technical Data Sheet (178.78KB) EN Ver todos os documentos técnicos

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Descrição geral do produto

The FDN304P from Fairchild is P channel 1.8V specified PowerTrench MOSFET in superSOT-3 package. This product features fast switching speed, high performance trench technology for extremely low Rds(on), thus suite for applications such as battery management, load switch and battery power management.
  • Drain to source voltage (Vds) of -20V
  • Gate to source voltage of ±8V
  • Low on state resistance of 65mohm at Vgs -1.8V
  • Continuous drain current of -2.4A
  • Maximum power dissipation of 500mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-2.4A
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
0.052ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-4.5V
Threshold Voltage Vgs:
-800mV
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SuperSOT
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Procurar produtos semelhantes  agrupados por atributo comum

Aplicações

  • Power Management;
  • Industrial;
  • Portable Devices;
  • Consumer Electronics

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000035

Alternativas

MOSFET Transistor, P Channel, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Segmento de fita
564 Em stock

Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

5+ 0,417 € 25+ 0,333 € 100+ 0,223 € 250+ 0,22 € mais…

Comprar

Produtos associados

Produtos semelhantes