Low

FDN304P - 

MOSFET Transistor, P Channel, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
FDN304P
Código Farnell
9846298
Ficha técnica:
(EN)
Ver todos os documentos técnicos

Informação do produto

:
500mW
:
150°C
:
-2.4A
:
P Channel
:
3Pins
:
-800mV
:
-
:
-
:
-20V
:
-4.5V
:
SuperSOT
:
0.052ohm
:
MSL 1 - Unlimited
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Descrição geral do produto

The FDN304P from Fairchild is P channel 1.8V specified PowerTrench MOSFET in superSOT-3 package. This product features fast switching speed, high performance trench technology for extremely low Rds(on), thus suite for applications such as battery management, load switch and battery power management.
  • Drain to source voltage (Vds) of -20V
  • Gate to source voltage of ±8V
  • Low on state resistance of 65mohm at Vgs -1.8V
  • Continuous drain current of -2.4A
  • Maximum power dissipation of 500mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Aplicações

Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics

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