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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN337N  MOSFET Transistor, N Channel, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN337N
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Descrição geral do produto

The FDN337N from Fairchild is N channel logic level enhancement mode power field effect transistor in superSOT-3 package. This transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology, very high density process is especially tailored to minimize on state resistance, thus suite for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low inline power loss are needed in a very small outline surface mount package.
  • High density cell design for extremely low Rds(on)
  • Exceptional on resistance and maximum DC current capability
  • Drain to source voltage (Vds) of 30V
  • Gate to source voltage of ±8V
  • Low on state resistance of 65mohm at Vgs 4.5V
  • Continuous drain current of 2.2A
  • Maximum power dissipation of 500mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
2.2A
Drain Source Voltage Vds:
30V
On Resistance Rds(on):
0.065ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4.5V
Threshold Voltage Vgs:
700mV
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Industrial;
  • Portable Devices;
  • Consumer Electronics

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000033

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