Low

FDN357N - 

MOSFET Transistor, N Channel, 2.5 A, 30 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 1.6 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN357N

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
FDN357N
Código Farnell
9845364
Ficha técnica:
(EN)
Ver todos os documentos técnicos

Informação do produto

:
500mW
:
150°C
:
2.5A
:
N Channel
:
3Pins
:
1.6V
:
-
:
-
:
30V
:
4.5V
:
SOT-23
:
0.053ohm
:
MSL 1 - Unlimited
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Descrição geral do produto

The FDN357N is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount-package. It comes with industry standard outline surface-mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Aplicações

Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals

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