Low

FDN358P - 

MOSFET Transistor, P Channel, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN358P

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
FDN358P
Código Farnell
9846328RL
Ficha técnica:
(EN)
Ver todos os documentos técnicos

Informação do produto

:
560mW
:
150°C
:
1.6A
:
P Channel
:
3Pins
:
-1.9V
:
-
:
-
:
-30V
:
-10V
:
SOT-23
:
0.2ohm
:
MSL 1 - Unlimited
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Descrição geral do produto

The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • 4nC Typical low gate charge

Aplicações

Power Management, Industrial

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