Low

FDN360P - 

MOSFET Transistor, P Channel, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
FDN360P
Código Farnell
9846336
Ficha técnica:
(EN)
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Informação do produto

:
500mW
:
150°C
:
2A
:
P Channel
:
3Pins
:
-1.9V
:
-
:
-
:
-30V
:
-10V
:
SOT-23
:
0.08ohm
:
MSL 1 - Unlimited
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Descrição geral do produto

The FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
  • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
  • Low gate charge typically 6.2nC
  • Drain to source voltage (Vds) of -30V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
  • Power dissipation (Pd) of 500mW
  • Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Aplicações

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial

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