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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN360P  MOSFET Transistor, P Channel, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P
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Descrição geral do produto

The FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
  • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
  • Low gate charge typically 6.2nC
  • Drain to source voltage (Vds) of -30V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
  • Power dissipation (Pd) of 500mW
  • Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
2A
Drain Source Voltage Vds:
-30V
On Resistance Rds(on):
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.9V
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000454

Alternativas

MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON

Segmento de fita
33.512 Em stock

Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

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