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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN360P  MOSFET Transistor, P Channel, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P
Nº da peça do fabricante:
FDN360P
Código Farnell
9846336RL
Ficha técnica:
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A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Descrição geral do produto

The FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device...
  • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
  • Low gate charge typically 6.2nC
  • Drain to source voltage (Vds) of -30V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
  • Power dissipation (Pd) of 500mW
  • Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
2A
Drain Source Voltage Vds:
-30V
On Resistance Rds(on):
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.9V
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000454

Alternativas

MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON

Segmento de fita
37.333 Em stock

Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

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