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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN5618P  MOSFET Transistor, P Channel, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN5618P
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Descrição geral do produto

The FDN5618P from Fairchild is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.
  • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -1.25A
  • Power dissipation (pd) of 500mW
  • Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-1.25A
Drain Source Voltage Vds:
-60V
On Resistance Rds(on):
0.17ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
20V
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SuperSOT
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412100
Peso (kg):
.000035

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