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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5670  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 2.4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5670
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A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Descrição geral do produto

The FDS5670 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
  • Low gate charge
  • Fast switching speed
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
10A
Drain Source Voltage Vds:
60V
On Resistance Rds(on):
0.014ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2.4V
Power Dissipation Pd:
2.5W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000216

Alternativas

MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 60 V, 9.4 mohm, 10 V, 4.9 V

INFINEON

Segmento de fita
2.846 Em stock

Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

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