Low

FDV301N - 

MOSFET Transistor, N Channel, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
FDV301N
Código Farnell
9845011RL
Ficha técnica:
(EN)
Ver todos os documentos técnicos

Informação do produto

:
350mW
:
150°C
:
220mA
:
N Channel
:
3Pins
:
850mV
:
-
:
-
:
25V
:
4.5V
:
SOT-23
:
3.1ohm
:
MSL 1 - Unlimited
Procurar produtos semelhantes Seleccione e modifique os atributos acima para encontrar produtos semelhantes.

Descrição geral do produto

The FDV301N from Fairchild is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
  • Drain to source voltage (Vds) of 25V
  • Gate to source voltage of 8V
  • Continuous drain current (Id) of 220mA
  • Power dissipation (Pd) of 350mW
  • Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Aplicações

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial

Alternativas

Comparar seleccionados
Nº da peça do fabricante
Código de encomenda
Fabricante / Descrição
Dispon
Preço para
Quantidade
A aguardar entrega (Disponível para encomenda em espera com os tempos de entrega apresentados)

Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

1+ 0,11 € 25+ 0,105 € 100+ 0,103 € 250+ 0,101 € mais…

Produtos associados

Comparar seleccionados