Low

FDV301N - 

MOSFET Transistor, N Channel, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDV301N

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
FDV301N
Código Farnell
9845011RL
Ficha técnica:
(EN)
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Descrição geral do produto

The FDV301N from Fairchild is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
  • Drain to source voltage (Vds) of 25V
  • Gate to source voltage of 8V
  • Continuous drain current (Id) of 220mA
  • Power dissipation (Pd) of 350mW
  • Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Aplicações

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial

Informação do produto

:
N Channel
:
220mA
:
25V
:
3.1ohm
:
4.5V
:
850mV
:
350mW
:
SOT-23
:
3Pins
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Unlimited
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