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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV303N  MOSFET Transistor, N Channel, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N
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Descrição geral do produto

The FDV303N from Fairchild is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V and designed for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NHM cells, inverters, high efficiency miniature discrete DC/DC conversion in electronic devices like cellular phones and pagers.
  • Drain to source voltage (Vds) of 25V
  • Gate to source voltage of 8V
  • Continuous drain current (Id) of 680mA
  • Power dissipation (Pd) of 350mW
  • Low on state resistance of 330mohm at Vgs 4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
680mA
Drain Source Voltage Vds:
25V
On Resistance Rds(on):
0.33ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4.5V
Threshold Voltage Vgs:
800mV
Power Dissipation Pd:
350mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
Malaysia

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412100
Peso (kg):
.000035

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