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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  MOSFET Transistor, P Channel, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV304P
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Descrição geral do produto

The FDV303N from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303N is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
  • Drain to source voltage (Vds) of -25V
  • Gate to source voltage of -8V
  • Continuous drain current (Id) of -460mA
  • Power dissipation (pd) of 350mW
  • Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-460mA
Drain Source Voltage Vds:
-25V
On Resistance Rds(on):
1.22ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
2.7V
Threshold Voltage Vgs:
-860mV
Power Dissipation Pd:
350mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000045

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