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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  MOSFET Transistor, P Channel, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV304P
Nº da peça do fabricante:
FDV304P
Código Farnell
9846123RL
Ficha técnica:
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Descrição geral do produto

The FDV303N from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate dr...
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
  • Drain to source voltage (Vds) of -25V
  • Gate to source voltage of -8V
  • Continuous drain current (Id) of -460mA
  • Power dissipation (pd) of 350mW
  • Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-460mA
Drain Source Voltage Vds:
-25V
On Resistance Rds(on):
1.22ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
2.7V
Threshold Voltage Vgs:
-860mV
Power Dissipation Pd:
350mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000045

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