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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10  MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB55N10
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Descrição geral do produto

The FQB55N10 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
  • 100% Avalanche tested
  • 75nC Typical low gate charge
  • 130pF Typical low Crss

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
55A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.026ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
4V
Power Dissipation Pd:
155W
Transistor Case Style:
TO-263
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Lighting

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
South Korea

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.002267

Alternativas

N CHANNEL MOSFET, 100V, 55mA

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

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Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

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MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

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