Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP27P06  MOSFET Transistor, P Channel, -27 A, -60 V, 70 mohm, -10 V, -4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06
Technical Data Sheet (503.24KB) EN Ver todos os documentos técnicos

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27P06

Descrição geral do produto

The FQP27P06 from Fairchild is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
  • Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
  • Low gate charge is typically 33nC
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±25V
  • Continuous drain current (Id) of -27A
  • Power dissipation (Pd) of 120W
  • Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
  • Operating temperature range -55°C to 175°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-27A
Drain Source Voltage Vds:
-60V
On Resistance Rds(on):
0.07ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-4V
Power Dissipation Pd:
120W
Transistor Case Style:
TO-220
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Procurar produtos semelhantes  agrupados por atributo comum

Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
-
País de origem:
South Korea

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.00279

Produtos associados

Produtos semelhantes