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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60B3D  IGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60B3D
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Descrição geral do produto

The HGTG20N60B3D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25° C and 150° C. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 140ns at TJ = 150°C Fall time
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Informação do produto

DC Collector Current:
40A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):
1.8V
Power Dissipation Pd:
165W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
600V
Transistor Case Style:
TO-247
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Motor Drive & Control;
  • Power Management;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
-
País de origem:
South Korea

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.00567

Alternativas

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