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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS0610  MOSFET Transistor, P Channel, 120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -1.7 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0610
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Descrição geral do produto

The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
  • Voltage controlled p-channel small signal switch
  • High density cell design for low RDS (ON)
  • High saturation current

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
120mA
Drain Source Voltage Vds:
-60V
On Resistance Rds(on):
10ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.7V
Power Dissipation Pd:
300mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000033

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