Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS352AP  MOSFET Transistor, P Channel, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS352AP
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Descrição geral do produto

The NDS352AP is a P-channel Logic Level Enhancement Mode Power Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage applications where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
900mA
Drain Source Voltage Vds:
-30V
On Resistance Rds(on):
0.25ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-1.7V
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SuperSOT
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Computers & Computer Peripherals

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000035

Alternativas

MOSFET Transistor, P Channel, -2.3 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.3 V

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