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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS355AN  MOSFET Transistor, N Channel, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS355AN
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Descrição geral do produto

The NDS355AN is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards, other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package. It comes with industry standard outline surface-mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
1.7A
Drain Source Voltage Vds:
30V
On Resistance Rds(on):
0.065ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.6V
Power Dissipation Pd:
500mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Portable Devices;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Consumer Electronics

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000033

Alternativas

N CHANNEL MOSFET, 30V, 1.7A, SUPER SOT-3

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

2.472:  Em stock

Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

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MOSFET Transistor, N Channel, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON

Segmento de fita
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