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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT2955  MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT2955
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Descrição geral do produto

The NDT2955 from Fairchild is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using Fairchild's high voltage trench process and suitable for power management applications.
  • High density cell design for extremely low Rds(ON)
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2.5A
  • Power dissipation (pd) of 3W
  • Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Informação do produto

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-2.5A
Drain Source Voltage Vds:
-60V
On Resistance Rds(on):
0.3ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
2.6V
Power Dissipation Pd:
3W
Transistor Case Style:
SOT-223
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
United States

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Y-Ex
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000199

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