Low

NDT2955 - 

MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

NDT2955 - MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
NDT2955
Código Farnell
9846271RL
Ficha técnica:
(EN)
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Descrição geral do produto

The NDT2955 from Fairchild is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using Fairchild's high voltage trench process and suitable for power management applications.
  • High density cell design for extremely low Rds(ON)
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2.5A
  • Power dissipation (pd) of 3W
  • Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

Aplicações

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial

Avisos

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate

Informação do produto

:
P Channel
:
-2.5A
:
-60V
:
0.3ohm
:
-10V
:
2.6V
:
3W
:
SOT-223
:
4Pins
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Unlimited
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Tipo de embalagem Produto rebobinado
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Uma rebobinagem é uma bobina personalizada para itens de segmentos de fita nos casos em que a quantidade da encomenda é superior a 150x
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