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INFINEON  IRF8788PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 V

INFINEON IRF8788PBF
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Descrição geral do produto

The IRF8788PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The latest HEXFET® power MOSFET silicon technology into the industry standard package. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.
  • Very low gate charge
  • Low gate impedance
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
  • 20V VGS Maximum gate rating

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
24A
Drain Source Voltage Vds:
30V
On Resistance Rds(on):
0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.8V
Power Dissipation Pd:
2.5W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Communications & Networking

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
Thailand

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.0001

Alternativas

MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V

INFINEON

852 Em stock

Preço para: Cada

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