Low

IRF8788PBF - 

MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.8 V

INFINEON IRF8788PBF

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Nº da peça do fabricante:
IRF8788PBF
Código Farnell
1688582
Ficha técnica:
(EN)
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Informação do produto

:
2.5W
:
150°C
:
24A
:
N Channel
:
8Pins
:
1.8V
:
-
:
-
:
30V
:
10V
:
SOIC
:
0.0023ohm
:
MSL 1 - Unlimited
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Descrição geral do produto

The IRF8788PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The latest HEXFET® power MOSFET silicon technology into the industry standard package. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications.
  • Very low gate charge
  • Low gate impedance
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
  • 20V VGS Maximum gate rating

Aplicações

Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking

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