Low

NXP  PUMH11,115  Bipolar Transistor Array, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363

NXP PUMH11,115
Technical Data Sheet (611.91KB) EN Ver todos os documentos técnicos

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Descrição geral do produto

The PUMH11,115 is a dual NPN Resistor Equipped Transistor Array in a surface-mount plastic package. This bipolar device is suitable for low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.
  • Built-in bias resistors
  • Simplifies circuit design
  • Reduces component count
  • PUMB11 dual PNP complement
  • PUMD3 NPN-PNP complement

Informação do produto

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Power Dissipation Pd:
200mW
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
30hFE
Transistor Case Style:
SOT-363
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Aplicações

  • Automotive;
  • Computers & Computer Peripherals;
  • Automation & Process Control;
  • Industrial;
  • Power Management

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
Malaysia

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412100
Peso (kg):
.001

Alternativas

Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-363

ON SEMICONDUCTOR

Segmento de fita
20.802 Em stock

Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo cortados)

5+ 0,156 € 50+ 0,0762 € 250+ 0,0693 € 500+ 0,0454 € mais…

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