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ON SEMICONDUCTOR  MJD117T4G  DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, D-PAK

ON SEMICONDUCTOR MJD117T4G
Technical Data Sheet (148.10KB) EN Ver todos os documentos técnicos

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Informação do produto

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-100V
Transition Frequency ft:
25MHz
Power Dissipation Pd:
1.75W
DC Collector Current:
-2A
DC Current Gain hFE:
12000hFE
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
China

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.000457

Alternativas

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE

STMICROELECTRONICS

3.241 Em stock

Preço para: Cada

1+ 0,16 € 50+ 0,156 € 150+ 0,152 € 400+ 0,141 € mais…

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Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE

ON SEMICONDUCTOR

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Preço para: Cada (fornecido(a) em fita e rolo completos)

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