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ON SEMICONDUCTOR  NTD5867NLT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G
Nº da peça do fabricante:
NTD5867NLT4G
Código Farnell
1879964RL
Ficha técnica:
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A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

Descrição geral do produto

The NTD5867NLT4G from On Semiconductor is a surface mount, 60V N channel power MOSFET in DPAK package. This device features high current capability, low RDS (on) and avalanche tested thus resulting in minimal conduction losses, robust load performance and ...
  • Drain to source voltage (Vds) is 600V
  • Gate to source voltage of ±20V(continuous)
  • Continuous drain current (Id) is 20A
  • Power dissipation (Pd) is 36W
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
  • Gate threshold voltage of 1.8V
  • Low on state resistance of 26mohm at Vgs 10V

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
20A
Drain Source Voltage Vds:
60V
On Resistance Rds(on):
0.026ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.8V
Power Dissipation Pd:
36W
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (20-Jun-2016)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial;
  • LED Lighting;
  • Motor Drive & Control

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
China

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.00049

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