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ON SEMICONDUCTOR  NTD5867NLT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G
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Descrição geral do produto

The NTD5867NLT4G from On Semiconductor is a surface mount, 60V N channel power MOSFET in DPAK package. This device features high current capability, low RDS (on) and avalanche tested thus resulting in minimal conduction losses, robust load performance and voltage overstress safeguard. This MOSFET is used for LED backlighting, DC to DC converter, motor driver and UPS inverter.
  • Drain to source voltage (Vds) is 600V
  • Gate to source voltage of ±20V(continuous)
  • Continuous drain current (Id) is 20A
  • Power dissipation (Pd) is 36W
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
  • Gate threshold voltage of 1.8V
  • Low on state resistance of 26mohm at Vgs 10V

Informação do produto

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
20A
Drain Source Voltage Vds:
60V
On Resistance Rds(on):
0.026ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.8V
Power Dissipation Pd:
36W
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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Aplicações

  • Power Management;
  • Consumer Electronics;
  • Portable Devices;
  • Industrial;
  • LED Lighting;
  • Motor Drive & Control

Legislação e Ambiente

Nível de sensibilidade à umidade:
MSL 1 - Unlimited
País de origem:
China

País onde se realizou a maior parte do processo de produção

Conformidade RoHS:
Sim
Tarifa N.º:
85412900
Peso (kg):
.00049

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