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NTD5867NLT4G -

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

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Fabricante:: ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricante:: NTD5867NLT4G
Código Farnell: 1879964RL
Ficha técnica:: (EN)

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Descrição geral do produto

The NTD5867NLT4G from On Semiconductor is a surface mount, 60V N channel power MOSFET in DPAK package. This device features high current capability, low RDS (on) and avalanche tested thus resulting in minimal conduction losses, robust load performance and voltage overstress safeguard. This MOSFET is used for LED backlighting, DC to DC converter, motor driver and UPS inverter.

Drain to source voltage (Vds) is 600V
Gate to source voltage of ±20V(continuous)
Continuous drain current (Id) is 20A
Power dissipation (Pd) is 36W
Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Gate threshold voltage of 1.8V
Low on state resistance of 26mohm at Vgs 10V

Aplicações

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, LED Lighting, Motor Drive & Control

Informação do produto

Transistor Polarity:: N Channel
Continuous Drain Current Id:: 20A
Drain Source Voltage Vds:: 60V
On Resistance Rds(on):: 0.026ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:: 10V
Threshold Voltage Vgs:: 1.8V
Power Dissipation Pd:: 36W
Transistor Case Style:: TO-252
No. of Pins:: 3Pins
Operating Temperature Max:: 150°C
Product Range:: -
Automotive Qualification Standard:: -
MSL:: MSL 1 - Unlimited

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Documentação técnica

Legislação e Ambiente

País de origem:: China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Conformidade RoHS:: Sim
Peso (kg):: .00049
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Para sua segurança, a sua sessão será terminada

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NTD5867NLT4G -

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