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SFH 4171B-CB2DB1
Infrared Emitter, 860 nm, 35 °, SMD, 630 mW/Sr
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteAMS OSRAM GROUP
Nº da peça do fabricanteSFH 4171B-CB2DB1
Código de encomenda4656542
Gama de produtosSFH 4171B Series
Também conhecido porQ65113A4985
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 12 semana(s)
| Quantidade | |
|---|---|
| 2000+ | 0,825 € |
| 6000+ | 0,808 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2000
Vários: 2000
1.650,00 € (sem IVA)
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteAMS OSRAM GROUP
Nº da peça do fabricanteSFH 4171B-CB2DB1
Código de encomenda4656542
Gama de produtosSFH 4171B Series
Também conhecido porQ65113A4985
Ficha técnica
Peak Wavelength860nm
Angle of Half Intensity35°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)630mW/Sr
Rise Time-
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)1A
Forward Voltage VF Max1.95V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Automotive Qualification Standard-
Product RangeSFH 4171B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
SFH 4171B-CB2DB1 is an OSLON® P1616 lens. This high power infrared emitter is suitable for access control & security, authentication, eye, face and hand tracking, factory automation, home & building automation, medical lighting applications.
- ESD: 2KV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM)
- IR light source with high efficiency and clear silicone package
- 1000mA forward current at TA = 25°C
- 5V max reverse voltage
- Operating temperature range from -40°C to 105°C
- 860nm typ peak wavelength at IF = 1000mA; tp = 10ms; TA = 25°C
- 850nm typ centroid wavelength at IF = 1000mA; tp = 10ms; TA = 25°C
- 33nm typ spectral bandwidth at 50% Irel,max (FWHM)
- 35° half angle, 1.95V max forward voltage, 940mW total radiant flux (F = 1A, tp = 100 µs)
- 630mW/sr radiant intensity at IF = 1A; tp = 10ms
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
860nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
-
Forward Current If(AV)
1A
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Angle of Half Intensity
35°
Radiant Intensity (Ie)
630mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.95V
Operating Temperature Max
105°C
Product Range
SFH 4171B Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85416000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001