IGBT Arrays & Modules

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  Nº da peça do fabricante Código de encomenda Fabricante / Descrição
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Preço
Quantidade
Transistor Polarity DC Collector Current Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) Power Dissipation Pd Collector Emitter Voltage V(br)ceo Transistor Case Style No. of Pins Operating Temperature Max Product Range RoHS Phthalates Compliant
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
VLA517-01R
VLA517-01R - Galvanic Isolated Gate Driver for IGBTs or MOSFETs, 4 A, SIP-15

1689601

FUJI ELECTRIC - Galvanic Isolated Gate Driver for IGBTs or MOSFETs, 4 A, SIP-15

Transistor Polarity N Channel
DC Collector Current 4A
Transistor Case Style SIP

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FUJI ELECTRIC 

Galvanic Isolated Gate Driver for IGBTs or MOSFETs, 4 A, SIP-15

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108 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

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  • 180 estará disponível para entrega em 17/Out/2018
  • 2.040 estará disponível para entrega em 14/Nov/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 08-07-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 4A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) -
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo -
    Transistor Case Style SIP
    No. of Pins 15Pins
    Operating Temperature Max 60°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    3.421

    1+ 14,61 € Preço para 5+ 13,76 € Preço para 10+ 12,89 € Preço para 50+ 12,63 € Preço para 100+ 12,37 € Preço para 250+ 12,12 € Preço para Mais preços...

    3.421 Em stock

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  • 2.040 estará disponível para entrega em 14/Nov/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 08-07-2019

    Cada

    1+ 14,61 € 5+ 13,76 € 10+ 12,89 € 50+ 12,63 € 100+ 12,37 € 250+ 12,12 € Mais preços...

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 4A - - - SIP 15Pins 60°C - To Be Advised
    IXYN82N120C3H1
    IXYN82N120C3H1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B

    2674802

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 105A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.2V

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 105 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, SOT-227B

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    Mais stock disponível na semana com início a 01-04-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 105A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.2V
    Power Dissipation Pd 500W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style SOT-227B
    No. of Pins 4Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range XPT GenX3 Series
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    1

    1+ 30,97 € Preço para 5+ 30,65 € Preço para 10+ 27,28 € Preço para 50+ 25,42 € Preço para 100+ 23,56 € Preço para

    1 Em stock

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    Mais stock disponível na semana com início a 01-04-2019

    Cada

    1+ 30,97 € 5+ 30,65 € 10+ 27,28 € 50+ 25,42 € 100+ 23,56 €

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 105A 3.2V 500W 1.2kV SOT-227B 4Pins 150°C XPT GenX3 Series Yes
    BSM50GD120DN2BOSA1
    BSM50GD120DN2BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

    1496949

    INFINEON - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 72A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3V

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    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

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    9 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    87 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 02-09-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 72A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3V
    Power Dissipation Pd 350W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style EconoPACK
    No. of Pins 17Pins
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    96

    1+ 150,00 € Preço para 5+ 148,00 € Preço para 10+ 131,00 € Preço para

    96 Em stock

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    Mais stock disponível na semana com início a 02-09-2019

    Cada

    1+ 150,00 € 5+ 148,00 € 10+ 131,00 €

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 72A 3V 350W 1.2kV EconoPACK 17Pins 125°C - Yes
    2MBI100TA-060-50
    2MBI100TA-060-50 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    1689571

    FUJI ELECTRIC - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.4V

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    FUJI ELECTRIC 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

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    115 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 280 estará disponível para entrega em 2/Jan/2019
  • 180 estará disponível para entrega em 30/Jan/2019
  • 40 estará disponível para entrega em 13/Fev/2019
  • 100 estará disponível para entrega em 10/Abr/2019
  • Mais stock disponível na semana com início a 08-07-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.4V
    Power Dissipation Pd 310W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    115

    1+ 46,99 € Preço para 5+ 45,81 € Preço para 10+ 44,61 € Preço para 50+ 43,72 € Preço para 100+ 42,84 € Preço para

    115 Em stock

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  • 280 estará disponível para entrega em 2/Jan/2019
  • 180 estará disponível para entrega em 30/Jan/2019
  • 40 estará disponível para entrega em 13/Fev/2019
  • 100 estará disponível para entrega em 10/Abr/2019
  • Mais stock disponível na semana com início a 08-07-2019

    Cada

    1+ 46,99 € 5+ 45,81 € 10+ 44,61 € 50+ 43,72 € 100+ 42,84 €

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 100A 2.4V 310W 600V Module 7Pins 150°C - To Be Advised
    SKM400GB125D
    SKM400GB125D - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423700

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 400A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 400 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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  • 26 estará disponível para entrega em 5/Nov/2018
  • 1 estará disponível para entrega em 27/Nov/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 17-12-2018 Contactem-me quando voltar a existir em stock
    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 400A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    N/A

    1+ 300,00 € Preço para 5+ 249,00 € Preço para

    A aguardar entrega (Disponível para encomenda em espera com os tempos de entrega apresentados)

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  • 26 estará disponível para entrega em 5/Nov/2018
  • 1 estará disponível para entrega em 27/Nov/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 17-12-2018 Contactem-me quando voltar a existir em stock

    Cada

    1+ 300,00 € 5+ 249,00 €

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    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 400A 3.3V - 1.2kV Module 7Pins 150°C - To Be Advised
    FII30-06D
    FII30-06D - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 30 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, i4-PAC

    2674739

    IXYS SEMICONDUCTOR - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 30 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, i4-PAC

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 30A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.9V

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    IXYS SEMICONDUCTOR 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 30 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, i4-PAC

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    3 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 18-02-2019

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 30A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.9V
    Power Dissipation Pd 100W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style i4-PAC
    No. of Pins 5Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range ISOPLUS Series
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    3

    1+ 9,89 € Preço para 5+ 9,27 € Preço para 10+ 8,17 € Preço para 50+ 8,01 € Preço para 100+ 7,84 € Preço para 250+ 7,68 € Preço para Mais preços...

    3 Em stock

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    3 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 18-02-2019

    Cada

    1+ 9,89 € 5+ 9,27 € 10+ 8,17 € 50+ 8,01 € 100+ 7,84 € 250+ 7,68 € Mais preços...

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    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 30A 1.9V 100W 600V i4-PAC 5Pins 150°C ISOPLUS Series Yes
    SKM50GB12T4
    SKM50GB12T4 - IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    2301737

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

    Transistor Polarity Dual NPN
    DC Collector Current 81A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 81 A, 1.85 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2

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    6 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    1 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 16 estará disponível para entrega em 24/Out/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 31-12-2018

    Transistor Polarity Dual NPN
    DC Collector Current 81A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style SEMITRANS 2
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    7

    1+ 54,08 € Preço para 5+ 53,66 € Preço para 10+ 53,24 € Preço para 50+ 52,82 € Preço para

    7 Em stock

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    6 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    1 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 16 estará disponível para entrega em 24/Out/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 31-12-2018

    Cada

    1+ 54,08 € 5+ 53,66 € 10+ 53,24 € 50+ 52,82 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    Dual NPN 81A 1.85V - 1.2kV SEMITRANS 2 7Pins 175°C - To Be Advised
    VS-GA200SA60UP
    VS-GA200SA60UP - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    2547317

    VISHAY - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.92V

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    VISHAY 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227

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    9 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    6 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 22-04-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.92V
    Power Dissipation Pd 500W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style SOT-227
    No. of Pins 4Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    15

    1+ 32,73 € Preço para 5+ 29,46 € Preço para 10+ 27,17 € Preço para 50+ 26,50 € Preço para 100+ 25,83 € Preço para

    15 Em stock

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    9 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    6 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 22-04-2019

    Cada

    1+ 32,73 € 5+ 29,46 € 10+ 27,17 € 50+ 26,50 € 100+ 25,83 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 200A 1.92V 500W 600V SOT-227 4Pins 150°C - Yes
    FSBB15CH60C
    FSBB15CH60C - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    1700678

    ON SEMICONDUCTOR - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2V

    + Ver todas as informações sobre o produto

    ON SEMICONDUCTOR 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC

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    40 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 09-09-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2V
    Power Dissipation Pd 55W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style SPM27-CC
    No. of Pins 27Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range Motion SPM 3 Series
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    40

    1+ 13,31 € Preço para 5+ 12,84 € Preço para 10+ 11,31 € Preço para 50+ 11,08 € Preço para 100+ 10,86 € Preço para 250+ 10,85 € Preço para Mais preços...

    40 Em stock

    + Verificar stock e tempo de entrega

    40 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 09-09-2019

    Cada

    1+ 13,31 € 5+ 12,84 € 10+ 11,31 € 50+ 11,08 € 100+ 10,86 € 250+ 10,85 € Mais preços...

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 15A 2V 55W 600V SPM27-CC 27Pins 150°C Motion SPM 3 Series To Be Advised
    SKM150GB12V
    SKM150GB12V - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423689

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 231A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

    + Ver todas as informações sobre o produto

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    + Verificar stock e tempo de entrega

    1 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    18 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 17-12-2018

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 231A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    19

    1+ 117,00 € Preço para 5+ 107,00 € Preço para 10+ 99,52 € Preço para 50+ 96,41 € Preço para

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    Dual N Channel 231A 1.75V - 1.2kV Module 7Pins 175°C - To Be Advised
    FP40R12KE3BOSA1
    FP40R12KE3BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM

    1496944

    INFINEON - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 55A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.3V

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    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM

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    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 55A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.3V
    Power Dissipation Pd 200W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style EconoPIM
    No. of Pins 24Pins
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range EconoPIM 2 Series
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    127

    1+ 83,97 € Preço para 5+ 82,43 € Preço para 10+ 76,10 € Preço para 50+ 74,58 € Preço para

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    1+ 83,97 € 5+ 82,43 € 10+ 76,10 € 50+ 74,58 €

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 55A 2.3V 200W 1.2kV EconoPIM 24Pins 125°C EconoPIM 2 Series Yes
    SKM400GB12T4
    SKM400GB12T4 - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2423701

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 616A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

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    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 616A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    13

    1+ 218,00 € Preço para 5+ 203,00 € Preço para

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    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 616A 1.8V - 1.2kV Module 7Pins 175°C - To Be Advised
    2MBI300U2B-060-50
    2MBI300U2B-060-50 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module

    1689574

    FUJI ELECTRIC - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 300A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.45V

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    FUJI ELECTRIC 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module

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    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 300A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.45V
    Power Dissipation Pd 1kW
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    33

    1+ 117,00 € Preço para 5+ 103,00 € Preço para 10+ 87,39 € Preço para

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 300A 2.45V 1kW 600V Module 7Pins 150°C - To Be Advised
    SKM400GB12V
    SKM400GB12V - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    2423702

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 612A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

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    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 612A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.75V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    9

    1+ 249,00 € Preço para 5+ 179,00 € Preço para

    9 Em stock

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    9 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 17-12-2018

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    1+ 249,00 € 5+ 179,00 €

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    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 612A 1.75V - 1.2kV Module 7Pins 175°C - To Be Advised
    SKM200GB125D
    SKM200GB125D - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423692

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

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    39 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 24-12-2018

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    39

    1+ 154,00 € Preço para 5+ 149,00 € Preço para 10+ 142,00 € Preço para

    39 Em stock

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    39 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 24-12-2018

    Cada

    1+ 154,00 € 5+ 149,00 € 10+ 142,00 €

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    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 200A 3.3V - 1.2kV Module 7Pins 150°C - To Be Advised
    FP50R12KE3BOSA1
    FP50R12KE3BOSA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

    2726169

    INFINEON - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 75A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V

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    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module

    + Verificar stock e tempo de entrega

    3 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    27 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 02-09-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 75A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.7V
    Power Dissipation Pd 280W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range EconoPIM 3 Series
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    30

    1+ 113,00 € Preço para 5+ 111,00 € Preço para 10+ 109,00 € Preço para

    30 Em stock

    + Verificar stock e tempo de entrega

    3 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    27 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 02-09-2019

    Cada

    1+ 113,00 € 5+ 111,00 € 10+ 109,00 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 75A 1.7V 280W 1.2kV Module - 125°C EconoPIM 3 Series Yes
    BSM10GD120DN2
    BSM10GD120DN2 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

    1496947

    INFINEON - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.2V

    + Ver todas as informações sobre o produto

    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

    + Verificar stock e tempo de entrega

    8 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    6 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 10 estará disponível para entrega em 15/Out/2018
  • 30 estará disponível para entrega em 26/Nov/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 07-01-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 15A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.2V
    Power Dissipation Pd 80W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style EconoPACK
    No. of Pins 17Pins
    Operating Temperature Max 125°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    14

    1+ 50,03 € Preço para 5+ 48,90 € Preço para 10+ 45,47 € Preço para 50+ 43,97 € Preço para

    14 Em stock

    + Verificar stock e tempo de entrega

    8 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    6 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 10 estará disponível para entrega em 15/Out/2018
  • 30 estará disponível para entrega em 26/Nov/2018
  • Mais stock disponível na semana com início a 07-01-2019

    Cada

    1+ 50,03 € 5+ 48,90 € 10+ 45,47 € 50+ 43,97 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 15A 3.2V 80W 1.2kV EconoPACK 17Pins 125°C - Yes
    SKM100GB125DN
    SKM100GB125DN - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    2423681

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V

    + Ver todas as informações sobre o produto

    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module

    + Verificar stock e tempo de entrega

    24 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 21-01-2019

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 100A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 3.3V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    24

    1+ 161,00 € Preço para 5+ 132,00 € Preço para 10+ 119,00 € Preço para 50+ 110,00 € Preço para

    24 Em stock

    + Verificar stock e tempo de entrega

    24 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 21-01-2019

    Cada

    1+ 161,00 € 5+ 132,00 € 10+ 119,00 € 50+ 110,00 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    Dual N Channel 100A 3.3V - 1.2kV Module 7Pins 150°C - To Be Advised
    2MBI150U4A-120-50
    2MBI150U4A-120-50 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module

    1689581

    FUJI ELECTRIC - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.3V

    + Ver todas as informações sobre o produto

    FUJI ELECTRIC 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module

    + Verificar stock e tempo de entrega

    1 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    6 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 20 estará disponível para entrega em 28/Nov/2018
  • 40 estará disponível para entrega em 23/Jan/2019
  • Mais stock disponível na semana com início a 08-07-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 200A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.3V
    Power Dissipation Pd 735W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    7

    1+ 90,35 € Preço para 5+ 80,69 € Preço para 10+ 71,06 € Preço para

    7 Em stock

    + Verificar stock e tempo de entrega

    1 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    6 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

  • 20 estará disponível para entrega em 28/Nov/2018
  • 40 estará disponível para entrega em 23/Jan/2019
  • Mais stock disponível na semana com início a 08-07-2019

    Cada

    1+ 90,35 € 5+ 80,69 € 10+ 71,06 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 200A 2.3V 735W 1.2kV Module 7Pins 150°C - To Be Advised
    VS-CPV364M4FPBF
    VS-CPV364M4FPBF - IGBT Array & Module Transistor, HEXFRED, N Channel, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP

    2547316

    VISHAY - IGBT Array & Module Transistor, HEXFRED, N Channel, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 27A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.6V

    + Ver todas as informações sobre o produto

    VISHAY 

    IGBT Array & Module Transistor, HEXFRED, N Channel, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP

    + Verificar stock e tempo de entrega

    19 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 14-10-2019

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 27A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.6V
    Power Dissipation Pd 63W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style SIP
    No. of Pins 13Pins
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    19

    1+ 48,33 € Preço para 5+ 45,77 € Preço para 10+ 43,20 € Preço para

    19 Em stock

    + Verificar stock e tempo de entrega

    19 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 14-10-2019

    Cada

    1+ 48,33 € 5+ 45,77 € 10+ 43,20 €

    Adicionar
    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 27A 1.6V 63W 600V SIP 13Pins 150°C - Yes
    SKM75GB12V
    SKM75GB12V - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 114 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

    2423706

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 114 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 114A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 114 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

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    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 114A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.85V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    61

    1+ 57,77 € Preço para 5+ 51,81 € Preço para 10+ 50,79 € Preço para 50+ 49,77 € Preço para

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    1+ 57,77 € 5+ 51,81 € 10+ 50,79 € 50+ 49,77 €

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    Dual N Channel 114A 1.85V - 1.2kV Module 7Pins 175°C - To Be Advised
    A2P75S12M3-F
    A2P75S12M3-F - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 1.2 kV, Module

    2832458

    STMICROELECTRONICS - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 75A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.95V

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    STMICROELECTRONICS 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 1.2 kV, Module

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    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 75A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.95V
    Power Dissipation Pd 454.5W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range ACEPACK 2 M Series
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    15

    1+ 55,03 € Preço para 5+ 53,36 € Preço para 10+ 51,69 € Preço para 50+ 50,66 € Preço para

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    N Channel 75A 1.95V 454.5W 1.2kV Module - 150°C ACEPACK 2 M Series Yes
    SKM100GB12T4
    SKM100GB12T4 - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    2423682

    SEMIKRON - IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 160A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V

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    SEMIKRON 

    IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

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    Transistor Polarity Dual N Channel
    DC Collector Current 160A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.8V
    Power Dissipation Pd -
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 1.2kV
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 7Pins
    Operating Temperature Max 175°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    20

    1+ 81,55 € Preço para 5+ 78,77 € Preço para 10+ 65,24 € Preço para 50+ 63,92 € Preço para

    20 Em stock

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    Dual N Channel 160A 1.8V - 1.2kV Module 7Pins 175°C - To Be Advised
    FP15R06W1E3BOMA1
    FP15R06W1E3BOMA1 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module

    2726157

    INFINEON - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 22A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.55V

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    INFINEON 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module

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    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 22A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 1.55V
    Power Dissipation Pd 81W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins -
    Operating Temperature Max 150°C
    Product Range EasyPIM 1B Series
    RoHS Phthalates Compliant Yes

    18

    1+ 31,28 € Preço para 5+ 30,65 € Preço para 10+ 30,03 € Preço para

    18 Em stock

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    18 em stock para entrega no dia seguinte (UK stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

    Mais stock disponível na semana com início a 30-09-2019

    Cada

    1+ 31,28 € 5+ 30,65 € 10+ 30,03 €

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    N Channel 22A 1.55V 81W 600V Module - 150°C EasyPIM 1B Series Yes
    6MBP30RH-060-50
    6MBP30RH-060-50 - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module

    1689595

    FUJI ELECTRIC - IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module

    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 30A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.7V

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    FUJI ELECTRIC 

    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module

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    7 em stock para entrega no dia seguinte (Liege stock): 00 horas (para re-reeling antes das 16:30) Seg. - Sex. (Exceto Feriados Nacionais)

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  • 100 estará disponível para entrega em 24/Abr/2019
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    Transistor Polarity N Channel
    DC Collector Current 30A
    Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on) 2.7V
    Power Dissipation Pd 85W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo 600V
    Transistor Case Style Module
    No. of Pins 15Pins
    Operating Temperature Max 100°C
    Product Range -
    RoHS Phthalates Compliant To Be Advised

    192

    1+ 61,13 € Preço para 5+ 55,77 € Preço para 10+ 49,93 € Preço para

    192 Em stock

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    Cada

    1+ 61,13 € 5+ 55,77 € 10+ 49,93 €

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    Min: 1 Mult: 1
    N Channel 30A 2.7V 85W 600V Module 15Pins 100°C - To Be Advised