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IPG20N04S408AATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N04S408AATMA1
Código de encomenda2781205
Gama de produtosOptiMOS T2 Series
Também conhecido porIPG20N04S4-08A, SP000938100
Ficha técnica
4.366 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,830 € |
| 10+ | 1,220 € |
| 100+ | 0,867 € |
| 500+ | 0,696 € |
| 1000+ | 0,608 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,83 € (sem IVA)
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPG20N04S408AATMA1
Código de encomenda2781205
Gama de produtosOptiMOS T2 Series
Também conhecido porIPG20N04S4-08A, SP000938100
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel7000µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7000µohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel65W
Power Dissipation P Channel65W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Descrição geral do produto
- OptiMOS® -T2 power transistor
- Dual N-channel normal level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
7000µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
65W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
7000µohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000265
Rastreabilidade de produtos