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NTJD4401NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
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| Quantidade | |
|---|---|
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| 10+ | 0,318 € |
| 100+ | 0,198 € |
| 500+ | 0,151 € |
| 1000+ | 0,104 € |
| 5000+ | 0,0935 € |
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTJD4401NT1G
Código de encomenda1704020
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel630mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel270mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
630mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
270mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTJD4401NT1G
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos