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SCTH35N65G2V-7AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTH35N65G2V-7AG
Código de encomenda3764233
Ficha técnica
937 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 13,690 € |
| 5+ | 11,850 € |
| 10+ | 10,000 € |
| 50+ | 9,200 € |
| 100+ | 8,380 € |
| 250+ | 7,550 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTH35N65G2V-7AG
Código de encomenda3764233
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation208W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
208W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00154
Rastreabilidade de produtos