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STD18N55M5
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD18N55M5
Código de encomenda2098164
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 3,670 € |
| 10+ | 2,410 € |
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,510 € |
| 1000+ | 1,440 € |
Unidades por pacoteEach
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD18N55M5
Código de encomenda2098164
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STD18N55M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology with PowerMESH™ horizontal layout structure. The device has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Excellent switching performance
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD18N55M5
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000467
Rastreabilidade de produtos