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STW26NM50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW26NM50
Código de encomenda1468007
Gama de produtosSTW
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 11,840 € |
| 10+ | 6,880 € |
| 100+ | 6,120 € |
| 500+ | 6,110 € |
| 1000+ | 6,100 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
11,84 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW26NM50
Código de encomenda1468007
Gama de produtosSTW
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Descrição geral do produto
The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para STW26NM50
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Não
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004309
Rastreabilidade de produtos