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XP231N02015R-G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Surface Mount
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FabricanteTOREX
Nº da peça do fabricanteXP231N02015R-G
Código de encomenda3577868
Gama de produtosXP231N0201xx-G
Ficha técnica
5.235 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,193 € |
| 10+ | 0,143 € |
| 100+ | 0,0972 € |
| 500+ | 0,0929 € |
| 1000+ | 0,0886 € |
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Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteTOREX
Nº da peça do fabricanteXP231N02015R-G
Código de encomenda3577868
Gama de produtosXP231N0201xx-G
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP231N0201xx-G
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP231N0201xx-G
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001