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| 10+ | 0,645 € |
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| 500+ | 0,325 € |
| 1000+ | 0,249 € |
| 5000+ | 0,237 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI3129DV-T1-GE3
Código de encomenda3650265
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance0.0689ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0689ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0005
Rastreabilidade de produtos