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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS110DN-T1-GE3
Código de encomenda2932953
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
26.947 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,718 € |
| 10+ | 0,496 € |
| 100+ | 0,339 € |
| 500+ | 0,260 € |
| 1000+ | 0,232 € |
| 5000+ | 0,184 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
0,72 € (sem IVA)
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS110DN-T1-GE3
Código de encomenda2932953
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14.2A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.2A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.003
Rastreabilidade de produtos