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BSM250D17P2E004
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module
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| Quantidade | |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBSM250D17P2E004
Código de encomenda3573222
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.8kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
250A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.8kW
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.28
Rastreabilidade de produtos