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Quantidade | |
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25+ | 0,864 € |
50+ | 0,785 € |
100+ | 0,707 € |
500+ | 0,602 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSHG6200
Código de encomenda1703549
Ficha técnica
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)20mW/Sr
Rise Time20ns
Fall Time tf13ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
The TSHG6200 is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras and high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- ±10° Angle of half intensity
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
20ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
20mW/Sr
Fall Time tf
13ns
Forward Voltage VF Max
1.5V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000363
Rastreabilidade de produtos