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IRF820APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF820APBF
Código de encomenda8648506
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The IRF820APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with ultra-low gate charge.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and Avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRF820APBF
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos