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BPW34-B
Photodiode, 60 °, 2 nA, 850 nm, DIP-2
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteAMS OSRAM GROUP
Nº da peça do fabricanteBPW34-B
Código de encomenda1212739
Ficha técnica
No. of Pins2Pins
Diode Case StyleDIP
Wavelength of Peak Sensitivity850nm
Angle of Half Sensitivity ±60°
Dark Current2000pA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
Descrição geral do produto
The BPW34-B is a silicon PIN Photodiode with enhanced blue sensitivity in DIL plastic package. It especially suitable for application from 350 to 110nm wavelength and 60° of half angle.
- 25ns Typical Short Switching Time
- DIL Plastic Package with High Packing Density
- 2.73 x 2.73mm² Radiant Sensitive Area
- 14.8µA Photocurrent
Aplicações
Industrial, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
No. of Pins
2Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
850nm
Dark Current
2000pA
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
DIP
Angle of Half Sensitivity ±
60°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Great Britain
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Great Britain
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000076
Rastreabilidade de produtos