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IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTN210P10T
Código de encomenda3438414
Gama de produtosTrenchP
Ficha técnica
78 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 45,890 € |
| 5+ | 42,260 € |
| 10+ | 38,630 € |
| 50+ | 35,000 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
45,89 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTN210P10T
Código de encomenda3438414
Gama de produtosTrenchP
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Descrição geral do produto
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
TrenchP
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004
Rastreabilidade de produtos