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DMG1029SV-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,399 € |
| 50+ | 0,315 € |
| 100+ | 0,192 € |
| 500+ | 0,156 € |
| 1500+ | 0,123 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMG1029SV-7
Código de encomenda2543528
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel500mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.3ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel450mW
Power Dissipation P Channel450mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
500mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.3ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
450mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.3ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
450mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.005
Rastreabilidade de produtos