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BF998E6327HTSA1
RF FET Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBF998E6327HTSA1
Código de encomenda4318965
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-252
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
12V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-252
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000635