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IDW10G120C5BFKSA1
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ, Dual Common Cathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 6,360 € |
| 10+ | 4,840 € |
| 100+ | 3,310 € |
| 500+ | 2,860 € |
| 1000+ | 2,800 € |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDW10G120C5BFKSA1
Código de encomenda2709911
Gama de produtosthinQ
Também conhecido porIDW10G120C5B, SP001071786
Ficha técnica
Product RangethinQ
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current34A
Total Capacitive Charge57nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Product Range
thinQ
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
57nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Dual Common Cathode
Average Forward Current
34A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002268
Rastreabilidade de produtos