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IDW40G65C5BXKSA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen V Series, Dual Common Cathode, 650 V, 20 A, 29 nC
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDW40G65C5BXKSA2
Código de encomenda3625469
Gama de produtosthinQ Gen V Series
Também conhecido porIDW40G65C5B, SP001633192
Ficha técnica
3 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 13,120 € |
| 5+ | 12,710 € |
| 10+ | 12,300 € |
| 50+ | 8,120 € |
| 100+ | 7,070 € |
| 250+ | 7,060 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
13,12 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIDW40G65C5BXKSA2
Código de encomenda3625469
Gama de produtosthinQ Gen V Series
Também conhecido porIDW40G65C5B, SP001633192
Ficha técnica
Product RangethinQ Gen V Series
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge29nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Product Range
thinQ Gen V Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
29nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Dual Common Cathode
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.01134
Rastreabilidade de produtos