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IGC033S101XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, VSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGC033S101XTMA1
Código de encomenda4640390RL
Também conhecido porIGC033S101, SP005751570
Ficha técnica
2.498 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 1,950 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,550 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
200,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGC033S101XTMA1
Código de encomenda4640390RL
Também conhecido porIGC033S101, SP005751570
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins6Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
IGC033S101XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- High switching frequency
- No reverse recovery charge
- Reverse conduction capability
- Low gate charge, low output charge and qualified according to JEDEC
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin VSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
76A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos