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IGLR65R140D2XUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGLR65R140D2XUMA1
Código de encomenda4573839
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Também conhecido porIGLR65R140D2, SP005825105
Ficha técnica
4.980 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 4,100 € |
| 10+ | 3,450 € |
| 100+ | 2,790 € |
| 500+ | 2,480 € |
| 1000+ | 2,120 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
4,10 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGLR65R140D2XUMA1
Código de encomenda4573839
Gama de produtosCoolGaN G5 Series
Também conhecido porIGLR65R140D2, SP005825105
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Typical Gate Charge1.8nC
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
TSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
13A
Typical Gate Charge
1.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos