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IGT60R190D1ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT60R190D1ATMA1
Código de encomenda4220238
Gama de produtosCoolGaN Series
Ficha técnica
1.953 Em Stock
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Disponível até ao esgotamento do stock
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 5,750 € |
| 10+ | 5,120 € |
| 100+ | 4,530 € |
| 500+ | 3,870 € |
| 1000+ | 3,390 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
5,75 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIGT60R190D1ATMA1
Código de encomenda4220238
Gama de produtosCoolGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StylePG-HSOF-8-3
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Case Style
PG-HSOF-8-3
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
12A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001