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IMBF170R650M1XTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
115 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 5,130 € |
| 10+ | 3,650 € |
| 100+ | 2,620 € |
| 500+ | 2,190 € |
| 1000+ | 2,170 € |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBF170R650M1XTMA1
Código de encomenda3577331
Gama de produtosCoolSiC
Também conhecido porIMBF170R650M1, SP002739686
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id7.4A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.526ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation88W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
7.4A
Drain Source On State Resistance
0.526ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
88W
Product Range
CoolSiC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
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País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
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Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.003
Rastreabilidade de produtos