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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN420N10T
Código de encomenda3438388
Gama de produtosGigaMOS HiperFET
Ficha técnica
255 Em Stock
300 Pode reservar stock agora
Entrega em 1-2 dias úteis
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Quantidade | |
---|---|
1+ | 29,360 € |
5+ | 25,500 € |
10+ | 21,630 € |
50+ | 21,330 € |
100+ | 21,030 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
29,36 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN420N10T
Código de encomenda3438388
Gama de produtosGigaMOS HiperFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id420A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.07kW
Power Dissipation Pd1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
420A
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Product Range
GigaMOS HiperFET
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004
Rastreabilidade de produtos