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IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN80N50
Código de encomenda7348029
Gama de produtosHiPerFET Series
Ficha técnica
94 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 55,930 € |
| 5+ | 53,130 € |
| 10+ | 40,620 € |
| 50+ | 39,530 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
55,93 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN80N50
Código de encomenda7348029
Gama de produtosHiPerFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation780W
Power Dissipation Pd780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplicações
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation Pd
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.234507