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IXFN360N15T2
MOSFET Transistor, N Channel, 310 A, 150 V, 0.004 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN360N15T2
Código de encomenda4060231
Gama de produtosGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Ficha técnica
79 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 45,610 € |
| 5+ | 41,890 € |
| 10+ | 38,170 € |
| 50+ | 34,450 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
45,61 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN360N15T2
Código de encomenda4060231
Gama de produtosGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id310A
Drain Source Voltage Vds150V
Drain Source On State Resistance0.004ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1070W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1070W
Product Range
GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series
Continuous Drain Current Id
310A
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos